Effect of Electric and Magnetic Fields on the Energy levels of a Hydrogenic Impurity in GaAs/Ga1-xA1xAs Heterojunctions
Publication Type
Original research
Authors
  • Khaled Ilawi
  • M.I. Elkawni
Fulltext
Download
Variational method within the effective — mass approximation is used to calculate the shallow impurities states in GaAs / Gai_xAl^As heteroj unctions. Modified Fang-Howard wavefunction is used as the trial wavefunction. Magnetic and electric fields effects on the impurity binding energy for the infinite and finite barrier heteroj unctions are presented.

استخدمت طريقة تقريبية للكتلة الفعالة لحههاب حالات شغل الشوائب لعينات من نرنيخات الجاليوم والتي بها شوائب من الألومنيوم غير المتجانسة ، كما استخدم دالة فنجر هولود كدالة تجريبية ، ووجد المجال المغناطيسي والكهربافي المؤفى على طاقة ربط الشوائب في حالات التوزيع المتجانس والغير متجانس للحاجز .

Journal
Title
Qatar Univ.Science Journal 01/1997; 17(2):225-230.
Publisher
--
Publisher Country
Palestine
Publication Type
Both (Printed and Online)
Volume
--
Year
1997
Pages
--