Impurity photoionization in semiconductors
نوع المنشور
بحث أصيل
المؤلفون
  • Khaled Ilawi
  • M.Tomak
النص الكامل
تحميل

The dependence of photoionization cross-section on photon energy is calculated using different impurity potentials including the Hülthén potential. The effect of anisotropy is taken into account and is shown to affect the spectral dependence drastically.

المجلة
العنوان
Journal of Physics and Chemistry of Solids (Impact Factor: 1.59). 01/1990; 51(4):361-365.
الناشر
--
بلد الناشر
فلسطين
نوع المنشور
Both (Printed and Online)
المجلد
--
السنة
1990
الصفحات
--