Variational method within the effective — mass approximation is used to
calculate the shallow impurities states in GaAs / Gai_xAl^As heteroj
unctions. Modified Fang-Howard wavefunction is used as the trial
wavefunction. Magnetic and electric fields effects on the impurity
binding energy for the infinite and finite barrier heteroj unctions are
presented.
استخدمت طريقة تقريبية للكتلة
الفعالة لحههاب حالات شغل الشوائب لعينات من نرنيخات الجاليوم والتي بها
شوائب من الألومنيوم غير المتجانسة ، كما استخدم دالة فنجر هولود كدالة
تجريبية ، ووجد المجال المغناطيسي والكهربافي المؤفى على طاقة ربط الشوائب
في حالات التوزيع المتجانس والغير متجانس للحاجز .